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三星宣布已量产3纳米芯片

LG显示OLED面板扩张计划放缓

三安集成砷化镓代工平台助力WiFi E推广

2022/07/05

三星宣布已量产3纳米芯片，性能提高23%

6月30日消息，三星电子有限公司周四宣布，该公司已经开始

在其位于韩国的华城工厂大规模生产3纳米半导体芯片，是全球首家

量产3纳米芯片的公司。与前几代使用FinFET的芯片不同，三星使

用的GAA（Gate All Around）晶体管架构，该架构大大改善了功率效

率。

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三星公司在一份声明中说，与传统的5纳米芯片相比，新开发的

第一代3纳米工艺可以降低45%的功耗，性能提高23%，并减

少16%的面积。三星还称，第二代3纳米GAA制造工艺也正在研发

中，这种第二代工艺将使芯片功耗降低达50%，性能提高30%，面积

减少35%。

三星公司没有透露3纳米公司的客户身份，分析师表示，预计三

星本身和中国虚拟货币挖矿机芯片设计公司上海磐矽半导体将成为最

初的客户之一。

作为对比，台积电和英特尔分别计划在今年下半年和明年下半年

开始大规模生产3纳米芯片。

作者了解到，台积电（TSMC）是世界上最先进的代工芯片制造

商，控制着全球54%的芯片合同生产市场，苹果和高通等没有自己

半导体设施的公司都是其客户。

根据数据提供商TrendForce的数据，三星以16.3%的市场份额

排名第二，去年该公司宣布了一项171万亿韩元（约8840.7亿元人

民币）的投资计划，以在2030年之前超越台积电成为全球顶级逻辑

芯片制造商。

“我们将在有竞争力的技术开发方面继续积极创新，

”三星公司代

工业务主管Siyoung Choi说。

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三星联合首席执行官Kyung Kye-hyun今年早些时候说，其代工

业务将在中国寻找新的客户，因为从汽车制造商到家电产品制造商的

公司都急于确保产能，以解决全球芯片持续短缺的问题，它预计在中

国将有高的市场增长。

虽然三星是第一个生产3纳米芯片的公司，但台积电正计划在

2025年实现2纳米芯片的批量生产。

分析师指出，三星是内存芯片的市场领导者，但其在更多样化的

代工业务方面已经被领先者台积电超越，使其难以跟其竞争。在过去

一年左右的时间里，三星与行业领导者竞争的努力也因旧芯片的产量

低于预期而受到阻碍。该公司在3月份表示，其经营情况已显示出逐

步改善。

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LG显示OLED面板扩张计划放缓，

因受供应链限制

据国外媒体报道，去年年初开始的芯片短缺影响到了汽车、消

费电子等众多领域，目前仍在持续，汽车领域尤为明显，通用、福

特、丰田、现代等一众汽车大厂，都受到了芯片短缺的影响，导致工

厂不同程度的停产。但受到零部件短缺的影响的，不只是汽车等领

域，面板生产领域，目前也受到了零部件短缺的影响。

外媒最新的报道就显示，供应链的限制，已经影响到了LG显

示OLED面板的扩张，导致他们的扩张计划放缓。

从外媒的报道来看，LG显示生产OLED面板所需要的部分零

部件的交付时间，已是之前的两倍，这也就导致他们的产能扩张计划

推迟。

而外媒在报道中还提到，

虽然是韩国主要的OLED面板

生产商，但他们所需要的设

备，仅9%是由韩国厂商供

应，这些设备制造商，目前也

无法制造并供应LG显示所需

要的生产系统。

在OLED面板制造方面，

韩国有LG显示和三星显示这

两大商，LG显示在电视等所需

的大尺寸OLED面板方面优势

明显，三星显示的优势则是智

能手机所需的OLED面板方

面，这两大厂商都是iPhone

所需OLED面板的供应商，三

星显示的供应量更多。

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外媒在报道中也提到，LG显

示扩张OLED面板产能所遇到的

问题，可能也影响到了三星显

示，但他们尚未有准确的消息。

三安集成砷化镓代工平台助力WiFi 6E推广，

加速新一代智能局域网络技术落地

随着WLAN技术的发展，室内场景更倾向于依赖无线通信技术，

2021年互联网约有50%的数据流量采用WiFi接入。庞大的流量和接

入需求推动着无线通信技术的发展，WiFi 6E标准开放了新的6GHz频

段，可以使用14个80MHz通道和7个额外的160MHz通道，搭载MUMIMO技术，支持4K QAM调制以及OFDMA，实现了室内大场景下的

多点高频高效数据传输，为4K/8K视频流、大规模协同办公、智能家

居和低时延大型游戏等场景提供可能性。

与需求扩张相对的，是国内市场对于支持WiFi 6E的芯片和技术仍

处于探索阶段。三安集成凭借成熟的GaAs HBT/p-HEMT工艺平台，

是目前国内唯一一家有能力量产WiFi 6E芯片的企业。目前，三安集

成已与国内头部射频企业达成深度合作，实现多款WiFi 6E前端模块

的量产，产品覆盖18.5-23.5dBm中高功率等级，具备优越的TX端线

性功率和极限1.5dBm的RX端NF值。客户端产品已经成功打入国际

市场，双方也正在针对下一代WiFi产品展开新一轮合作。

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三安集成的GaAs HBT/p-HEMT出货量在国内一直保持领先；去年

8月，三安集成的滤波器产品也进入了全球主流射频前端平台。如今

GaAs代工业务已延伸至前沿的WiFi 6E技术，意味着三安集成射频前

端业务在移动通信技术和无线通信技术的双向突破，有实力全方位覆

盖客户在5G时代所需要的射频前端制造服务。

三安集成成熟的制造管理和可靠的产能保证是帮助客户快速抢占

市场的利器。继承母公司三安光电二十年化合物半导体制造管理经

验，三安集成发展了成熟全面的砷化镓HBT/p-HEMT工艺型谱，支持

客户在复杂通信场景下的不同应用需求。三安集成面向未来市场，积

极投入产能，在泉州南安芯谷园区建设了2,300亩的制造基地，规划

了20,000片6寸砷化镓晶圆和256Mu颗双工器的月产能，为客户产品

落地和快速迭代提供可靠支持。