国家电网功率半导体
产业统一平台
STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR
UNIFIED PLATFORM
国家电网功率半导体
产业统一平台
STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR
UNIFIED PLATFORM
国家电网功率半导体
产业统一平台
STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR
UNIFIED PLATFORM
国家电网功率半导体
产业统一平台
STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR
UNIFIED PLATFORM
公司简介
发展历程
业务范围
生产能力
测试能力
科技创新
01-02
03-04
05-06
07-08
09-10
11-12
13-14
15-16
17-18
高压产品
中低压产品
碳化硅产品
01
Company
02
Products
目 录
CONTENTS
公司简介
发展历程
业务范围
生产能力
测试能力
科技创新
01-02
03-04
05-06
07-08
09-10
11-12
13-14
15-16
17-18
高压产品
中低压产品
碳化硅产品
01
Company
02
Products
目 录
CONTENTS
公司简介 ABOUT
01 国家电网功率半导体产业统一平台
STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
· 入选2020年国务院国资委科改示范企业名单
· 国家电网战略新兴产业培育重点单位
· 国家电网功率半导体产业统一平台
南瑞联研半导体有限责任公司(简称“南瑞联研”)成立于2019年,总部位于
江苏南京,是专业从事功率半导体器件研发、生产、销售、服务的高新技术公
司。由国家电网公司旗下南瑞集团与全球能源互联网研究院共同出资设立,
是国家电网公司战略新兴产业培育重点单位,是国家电网公司功率半导体产
业发展的统一平台。
2020年4月,南瑞联研作为国家电网公司系统内唯有的两家企业入选国务院
国资委“科改示范行动”企业名单,是国有科技型企业改革样板和自主创新尖兵。
南瑞联研坚持以推进功率半导体产业化为己任,致力于解决电网核心器件\"
卡脖子\"难题,依托南瑞集团和全球能源互联网研究院在电力行业的深厚技
术积累和产业优势,集合国内功率半导体一流技术研发团队,建成国际领先
的自动化与信息化生产线,面向电力系统中发电、输电、配电、用电等各环节,
自主研发功率半导体器件,提供整套解决方案。
南瑞联研秉承开放合作、竞合共赢的经营理念,不断深化上下游产业链协同
创新,打造资源共享生态圈,在智能电网、新能源发电、电动汽车、工业控制等
领域不断推进国产化替代,保障核心器件自主可控和供给安全。
公司简介 ABOUT
01 国家电网功率半导体产业统一平台
STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
· 入选2020年国务院国资委科改示范企业名单
· 国家电网战略新兴产业培育重点单位
· 国家电网功率半导体产业统一平台
南瑞联研半导体有限责任公司(简称“南瑞联研”)成立于2019年,总部位于
江苏南京,是专业从事功率半导体器件研发、生产、销售、服务的高新技术公
司。由国家电网公司旗下南瑞集团与全球能源互联网研究院共同出资设立,
是国家电网公司战略新兴产业培育重点单位,是国家电网公司功率半导体产
业发展的统一平台。
2020年4月,南瑞联研作为国家电网公司系统内唯有的两家企业入选国务院
国资委“科改示范行动”企业名单,是国有科技型企业改革样板和自主创新尖兵。
南瑞联研坚持以推进功率半导体产业化为己任,致力于解决电网核心器件\"
卡脖子\"难题,依托南瑞集团和全球能源互联网研究院在电力行业的深厚技
术积累和产业优势,集合国内功率半导体一流技术研发团队,建成国际领先
的自动化与信息化生产线,面向电力系统中发电、输电、配电、用电等各环节,
自主研发功率半导体器件,提供整套解决方案。
南瑞联研秉承开放合作、竞合共赢的经营理念,不断深化上下游产业链协同
创新,打造资源共享生态圈,在智能电网、新能源发电、电动汽车、工业控制等
领域不断推进国产化替代,保障核心器件自主可控和供给安全。
150+人
现有专业技术人员 2亿RMB
投资IGBT自动化封装测试生产线
5+60名
博士和硕士人员 25万只
IGBT模块年产能
国家电网功率半导体产业统一平台 02 STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
150+人
现有专业技术人员 2亿RMB
投资IGBT自动化封装测试生产线
5+60名
博士和硕士人员 25万只
IGBT模块年产能
国家电网功率半导体产业统一平台 02 STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
2009
9月
智能电网研究院聚合国
家电网20年电力电子技
术布局半导体发展
2017
12月
国电南瑞第一代IGBT
产品流片
2019
11月
南瑞联研半导体有限责
任公司成立
2013
6月
智能电网研究院组建功
率半导体技术组
2018
8月
国电南瑞募集16.4亿资
金规划功率半导体未来
发展历程
DEVELOPMENT HISTORY 价值观
创新 奋斗 包容 共赢
经营理念
开放合作 竞和共赢
03 国家电网功率半导体产业统一平台
STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
2009
9月
智能电网研究院聚合国
家电网20年电力电子技
术布局半导体发展
2017
12月
国电南瑞第一代IGBT
产品流片
2019
11月
南瑞联研半导体有限责
任公司成立
2013
6月
智能电网研究院组建功
率半导体技术组
2018
8月
国电南瑞募集16.4亿资
金规划功率半导体未来
发展历程
DEVELOPMENT HISTORY 价值观
创新 奋斗 包容 共赢
经营理念
开放合作 竞和共赢
03 国家电网功率半导体产业统一平台
STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
2021
5月
南瑞联研1700V/450A IGBT产
品在2.5MW风电机组现场一次
性投运成功
6月
南瑞联研SiC二极管产品在充电
桩成功示范应用
2020
3月
南瑞联研第二代IGBT产
品试制成功
6月
南瑞联研IGBT产品启动
示范应用
2022
1月
南瑞集团自主1700/450A
IGBT产品正式量产
3月
南瑞集团自主
3300V/1500A IGBT产品
正式实现量产
10月
3300V/1500A IGBT 厦门
柔直一次性投运成功
9月
南瑞联研启动SiC产品
研发
国家电网功率半导体产业统一平台 04 STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
2021
5月
南瑞联研1700V/450A IGBT产
品在2.5MW风电机组现场一次
性投运成功
6月
南瑞联研SiC二极管产品在充电
桩成功示范应用
2020
3月
南瑞联研第二代IGBT产
品试制成功
6月
南瑞联研IGBT产品启动
示范应用
2022
1月
南瑞集团自主1700/450A
IGBT产品正式量产
3月
南瑞集团自主
3300V/1500A IGBT产品
正式实现量产
10月
3300V/1500A IGBT 厦门
柔直一次性投运成功
9月
南瑞联研启动SiC产品
研发
国家电网功率半导体产业统一平台 04 STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
业务范围
BUSINESS SCOPE
南瑞联研建立了一支集高端功率半导体专家和资深工程
师的一流团队,拥有功率半导体芯片设计、芯片制造、封
装测试、工程应用的全流程研发及产业化能力。
IGBT芯片设计
掌握结构设计、仿真、工艺设计技术;掌握沟槽栅、
平面栅、载流子增强、多重复合场截止层、低漏电高
可靠性终端结构等核心技术。
模块设计
掌握多芯片并联均流仿真、电-热/热-应力多物理场
耦合仿真技术、焊层空洞仿真、封装底板曲率仿真
控制等技术,具备模块热阻优化、并联芯片均流设
计等关键封装技术。
FRD芯片设计
掌握芯片仿真、结构设计和工艺设计技术;掌握低
漏电的多重少子寿命控制技术、阳极注入效率控制
技术、高动态鲁棒性的过渡区结构、高工艺容忍度
终端结构等核心技术开发,产品具有优良的软度、
正温度系数与折中特性。
掌握从器件设计到运行服务的整体解决方案,公司
自主开发的IGBT模块选型平台、工况应用仿真平
台,具备模拟实际运行环境,实现贴合实际应用的
器件选型与运行状态预判。
依托强大的研发设计团队,公司可以提供对芯片/
模块/驱动/模组设计的定制化开发,以满足具体工
程标准、规格要求、环境特性等需求。
定制化开发 器件与应用整体解决方案
SiC芯片和产品设计
掌握SiC平面栅、沟槽栅等关键设计与工艺技术;掌
握二极管浪涌能力提升核心技术;掌握SiCMOSFET
高迁移率栅氧介质,以及高能离子注入沟道控制等
核心技术;具备从SiC芯片设计、产品结构设计、核心
工艺调试到特性仿真整套开发能力。
05 国家电网功率半导体产业统一平台
STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
业务范围
BUSINESS SCOPE
南瑞联研建立了一支集高端功率半导体专家和资深工程
师的一流团队,拥有功率半导体芯片设计、芯片制造、封
装测试、工程应用的全流程研发及产业化能力。
IGBT芯片设计
掌握结构设计、仿真、工艺设计技术;掌握沟槽栅、
平面栅、载流子增强、多重复合场截止层、低漏电高
可靠性终端结构等核心技术。
模块设计
掌握多芯片并联均流仿真、电-热/热-应力多物理场
耦合仿真技术、焊层空洞仿真、封装底板曲率仿真
控制等技术,具备模块热阻优化、并联芯片均流设
计等关键封装技术。
FRD芯片设计
掌握芯片仿真、结构设计和工艺设计技术;掌握低
漏电的多重少子寿命控制技术、阳极注入效率控制
技术、高动态鲁棒性的过渡区结构、高工艺容忍度
终端结构等核心技术开发,产品具有优良的软度、
正温度系数与折中特性。
掌握从器件设计到运行服务的整体解决方案,公司
自主开发的IGBT模块选型平台、工况应用仿真平
台,具备模拟实际运行环境,实现贴合实际应用的
器件选型与运行状态预判。
依托强大的研发设计团队,公司可以提供对芯片/
模块/驱动/模组设计的定制化开发,以满足具体工
程标准、规格要求、环境特性等需求。
定制化开发 器件与应用整体解决方案
SiC芯片和产品设计
掌握SiC平面栅、沟槽栅等关键设计与工艺技术;掌
握二极管浪涌能力提升核心技术;掌握SiCMOSFET
高迁移率栅氧介质,以及高能离子注入沟道控制等
核心技术;具备从SiC芯片设计、产品结构设计、核心
工艺调试到特性仿真整套开发能力。
05 国家电网功率半导体产业统一平台
STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
制造
设计 服务
研发
应用
POWER SEMICONDUCTOR
SOLUTION PROVIDER
POWER SEMICONDUCTOR
SOLUTION PROVIDER
国家电网功率半导体产业统一平台 06 STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
制造
设计 服务
研发
应用
POWER SEMICONDUCTOR
SOLUTION PROVIDER
POWER SEMICONDUCTOR
SOLUTION PROVIDER
国家电网功率半导体产业统一平台 06 STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
生产能力
PRODUCTION CAPABILITY
配置了国际领先的功率半导体模块封装测试设备,引入ERP、MES、WMS等信息系统,将信
息技术与生产制造体系深度融合,有效提高生产线的信息化、自动化、智能化水平,提升生
产现场作业效率,达成对生产过程的全程监控和追溯,从而保障产品质量并优化过程和现
场的管理。
亮点工艺
超声焊接:
过流能力强、高强度、高可靠性
银烧结:
服役温度、导电性、导热性等方面远优于传统焊料
生产总面积
千级无尘洁净区占比
信息化自动化管理系统总投资额
焊接型IGBT模块年产能
压接型IGBT模块年产能
07 国家电网功率半导体产业统一平台
STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
生产能力
PRODUCTION CAPABILITY
配置了国际领先的功率半导体模块封装测试设备,引入ERP、MES、WMS等信息系统,将信
息技术与生产制造体系深度融合,有效提高生产线的信息化、自动化、智能化水平,提升生
产现场作业效率,达成对生产过程的全程监控和追溯,从而保障产品质量并优化过程和现
场的管理。
亮点工艺
超声焊接:
过流能力强、高强度、高可靠性
银烧结:
服役温度、导电性、导热性等方面远优于传统焊料
生产总面积
千级无尘洁净区占比
信息化自动化管理系统总投资额
焊接型IGBT模块年产能
压接型IGBT模块年产能
07 国家电网功率半导体产业统一平台
STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
POWER MODULE PACKAGING AND
TESTING INTELLIGENT MANUFACTURING WORKSHOP
江苏省功率模块封装测试
智能制造车间
国家电网功率半导体产业统一平台 08 STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
POWER MODULE PACKAGING AND
TESTING INTELLIGENT MANUFACTURING WORKSHOP
江苏省功率模块封装测试
智能制造车间
国家电网功率半导体产业统一平台 08 STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
测试能力
TESTING CAPABILITY
规格参数测试
静态参数测试,最大测试能力6500V/5000A
动态参数测试,最大测试能力3000V/4000A
热阻、电容、极限等测试
可靠性测试
气候试验—高低温、湿热、温度循环、冷热冲击、盐雾等
寿命试验—振动、冲击等力学试验;HTRB、HTGB、H3TRB等
强化试验—HAST、PC等
失效分析
芯片剖析、逆向分析,模块失效分析、红外热成像、焊接强度等
超声检测、2D/2.5D/3D X射线检测
金相观察、SEM/EDS
应用测试
高压应用测试、中低压应用测试、SiC应用测试等
09 国家电网功率半导体产业统一平台
STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
测试能力
TESTING CAPABILITY
规格参数测试
静态参数测试,最大测试能力6500V/5000A
动态参数测试,最大测试能力3000V/4000A
热阻、电容、极限等测试
可靠性测试
气候试验—高低温、湿热、温度循环、冷热冲击、盐雾等
寿命试验—振动、冲击等力学试验;HTRB、HTGB、H3TRB等
强化试验—HAST、PC等
失效分析
芯片剖析、逆向分析,模块失效分析、红外热成像、焊接强度等
超声检测、2D/2.5D/3D X射线检测
金相观察、SEM/EDS
应用测试
高压应用测试、中低压应用测试、SiC应用测试等
09 国家电网功率半导体产业统一平台
STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
国家电网功率半导体产业统一平台 10 STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
国家电网功率半导体产业统一平台 10 STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
科技创新
TECHNOLOGICAL
INNOVATION
南瑞联研围绕建设成为“具有全球竞争力的功率半导体科技公司”的
战略目标,瞄准智能电网、新能源发电、电动汽车、工业控制等领域的
产业应用,整合上下游产业资源,开展功率半导体器件的自主设计、生
产和销售,实现功率半导体器件的国产化替代,保障关键领域核心器
件的供给安全。
南瑞联研自成立以来,致力于解决电网领域核心器件“卡脖子”问题,
已获多项授权发明专利和实用新型专利,并依托智能电网用IGBT器件
研发及产业化项目成功入选工信部“IGBT应用一条龙应用示范企业”。
智能电网 新能源发电 电动汽车 工业控制
11 国家电网功率半导体产业统一平台
STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
科技创新
TECHNOLOGICAL
INNOVATION
南瑞联研围绕建设成为“具有全球竞争力的功率半导体科技公司”的
战略目标,瞄准智能电网、新能源发电、电动汽车、工业控制等领域的
产业应用,整合上下游产业资源,开展功率半导体器件的自主设计、生
产和销售,实现功率半导体器件的国产化替代,保障关键领域核心器
件的供给安全。
南瑞联研自成立以来,致力于解决电网领域核心器件“卡脖子”问题,
已获多项授权发明专利和实用新型专利,并依托智能电网用IGBT器件
研发及产业化项目成功入选工信部“IGBT应用一条龙应用示范企业”。
智能电网 新能源发电 电动汽车 工业控制
11 国家电网功率半导体产业统一平台
STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
国家电网功率半导体产业统一平台 12 STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
国家电网功率半导体产业统一平台 12 STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
产品介绍
PRODUCT DESCRIPTION
南瑞联研深入贯彻落实制造强国战略,积极推进自主IGBT器件在智能电网领域的国产化替代。为满足柔性输电工程
对IGBT的国际标准要求,在焊接式3300V、压接式4500V IGBT模块领域不断技术创新,产品在性能、良率等方面实
现突破。
行业领域: 智能电网、城市轨道交通、中高压变频、工业电源。
应用设备:柔直换流阀、无功补偿STATCOM(SVG)、统一潮流控制器UPFC、 高压直流断路器、牵引变流器等。
高压IGBT产品
13 国家电网功率半导体产业统一平台
STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
产品介绍
PRODUCT DESCRIPTION
南瑞联研深入贯彻落实制造强国战略,积极推进自主IGBT器件在智能电网领域的国产化替代。为满足柔性输电工程
对IGBT的国际标准要求,在焊接式3300V、压接式4500V IGBT模块领域不断技术创新,产品在性能、良率等方面实
现突破。
行业领域: 智能电网、城市轨道交通、中高压变频、工业电源。
应用设备:柔直换流阀、无功补偿STATCOM(SVG)、统一潮流控制器UPFC、 高压直流断路器、牵引变流器等。
高压IGBT产品
13 国家电网功率半导体产业统一平台
STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
国家电网功率半导体产业统一平台 14 STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
国家电网功率半导体产业统一平台 14 STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
产品介绍
PRODUCT DESCRIPTION
南瑞联研自主研发1700V/1200V沟槽栅IGBT产品,具备1700V/1200V沟槽型IGBT芯片设计能力。通过仿真设计、
晶圆流片和结构工艺优化,确保芯片性能表现优异。南瑞联研可根据客户不同场景的应用需求,进行模块封装工艺
定制化开发,提供高可靠性模块产品。
行业领域: 新能源、储能、工业控制、智能电网。
应用设备: 风电变流器、光伏逆变器、储能变流器、能量路由器(电力电子变压器)、低压直流变换器、工业变频器、伺
服电机、UPS等。
中低压IGBT产品
15 国家电网功率半导体产业统一平台
STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
产品介绍
PRODUCT DESCRIPTION
南瑞联研自主研发1700V/1200V沟槽栅IGBT产品,具备1700V/1200V沟槽型IGBT芯片设计能力。通过仿真设计、
晶圆流片和结构工艺优化,确保芯片性能表现优异。南瑞联研可根据客户不同场景的应用需求,进行模块封装工艺
定制化开发,提供高可靠性模块产品。
行业领域: 新能源、储能、工业控制、智能电网。
应用设备: 风电变流器、光伏逆变器、储能变流器、能量路由器(电力电子变压器)、低压直流变换器、工业变频器、伺
服电机、UPS等。
中低压IGBT产品
15 国家电网功率半导体产业统一平台
STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
国家电网功率半导体产业统一平台 16 STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
国家电网功率半导体产业统一平台 16 STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
产品介绍
PRODUCT DESCRIPTION
碳化硅功率器件凭借材料优异性能,具备耐热性好,开关损耗低,热耗散能力强等多项优势,可广泛应用于各类电力
电子领域。
南瑞联研研发团队开发出高性能SiC二极管和SiC MOSFET产品。SiC二极管具有正向压降低,反向击穿电压高,反
向漏电小,反向恢复快,以及浪涌能力强等特点;SiC MOSFET具有较小的导通电阻,较高的阈值电压,开关速率快、
耐高温等特点。南瑞联研可根据电动汽车、新能源发电、智能电网等领域市场需求,推出定制化解决方案。
行业领域: 电动汽车、充电桩设备、新能源、智能电网。
应用设备: 充电电源模块、电驱系统、光伏逆变器、UPS、 能量路由器(电力电子变压器)、 直流配网变换器等。
碳化硅产品
17 国家电网功率半导体产业统一平台
STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
产品介绍
PRODUCT DESCRIPTION
碳化硅功率器件凭借材料优异性能,具备耐热性好,开关损耗低,热耗散能力强等多项优势,可广泛应用于各类电力
电子领域。
南瑞联研研发团队开发出高性能SiC二极管和SiC MOSFET产品。SiC二极管具有正向压降低,反向击穿电压高,反
向漏电小,反向恢复快,以及浪涌能力强等特点;SiC MOSFET具有较小的导通电阻,较高的阈值电压,开关速率快、
耐高温等特点。南瑞联研可根据电动汽车、新能源发电、智能电网等领域市场需求,推出定制化解决方案。
行业领域: 电动汽车、充电桩设备、新能源、智能电网。
应用设备: 充电电源模块、电驱系统、光伏逆变器、UPS、 能量路由器(电力电子变压器)、 直流配网变换器等。
碳化硅产品
17 国家电网功率半导体产业统一平台
STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
国家电网功率半导体产业统一平台 18 STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
国家电网功率半导体产业统一平台 18 STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM
引领未来
LEAD THE FUTURE
南瑞联研顺应国家核心器件国产化替代的时代潮流而生,顺应半导体产业做强做大的市场潮流而生,顺
应国家电网公司、南瑞集团的产业战略潮流而生,将始终坚持开放合作,竞合共赢的经营理念,以突破智
能电网功率半导体核心技术为己任,以国家电网公司战略新兴产业发展平台为依托,努力为客户提供卓
越的产品和服务,为中国半导体产业的繁荣发展,为电网安全及经济社会的发展贡献核“芯”力量。
引领未来
LEAD THE FUTURE
南瑞联研顺应国家核心器件国产化替代的时代潮流而生,顺应半导体产业做强做大的市场潮流而生,顺
应国家电网公司、南瑞集团的产业战略潮流而生,将始终坚持开放合作,竞合共赢的经营理念,以突破智
能电网功率半导体核心技术为己任,以国家电网公司战略新兴产业发展平台为依托,努力为客户提供卓
越的产品和服务,为中国半导体产业的繁荣发展,为电网安全及经济社会的发展贡献核“芯”力量。
企业使命
OUR MISSION
奠基
建成自主可控运营体系,成
为国内智能电网大功率IGBT
器件的合格供应商
提升
发展成为国内高压大功率IGBT
器件的核心供应商和工业级功
率半导体产品的优质供应商
引领
实现电网领域所需IGBT器件的
市场占有率超过50%,建设成为
国内一流的功率半导体科技公司
让能源
更高效
让传输
更安全
让生活
更美好
企业使命
OUR MISSION
奠基
建成自主可控运营体系,成
为国内智能电网大功率IGBT
器件的合格供应商
提升
发展成为国内高压大功率IGBT
器件的核心供应商和工业级功
率半导体产品的优质供应商
引领
实现电网领域所需IGBT器件的
市场占有率超过50%,建设成为
国内一流的功率半导体科技公司
让能源
更高效
让传输
更安全
让生活
更美好
地址: 南京市江宁经济技术开发区诚信大道19号
TEL: 025-81086099
E-mail: nrly@sgepri.sgcc.com.cn
© 2021 NARI-GEIRI
南瑞联研半导体有限责任公司
NARI-GEIRI SEMICONDUCTOR CO.,LTD.
新型电力系统
核 力量
地址: 南京市江宁经济技术开发区诚信大道19号
TEL: 025-81086067
E-mail: nrly@sgepri.sgcc.com.cn
© 2021 NARI-GEIRI
南瑞联研半导体有限责任公司
NARI-GEIRI SEMICONDUCTOR CO.,LTD.
新型电力系统
核 力量