
华工激光
化合物半导体激光加工装备解决方案
专精特新 国产替代

公司介绍
Company Introduction
武汉华工激光工程有限责任公司
WUHAN HUAGONG LASER ENGINEERING CO.,LT[华工激光是中国激光工业化应用的开创者、引领者,是全球领先的激光装备及智能制造方案提供商,是高科技上市公司华工科技产业股份有限公司(股票代码:000988)的核心子公司。公司深刻把握工业制造领域转型升级的重大需求,以技术创新为驱动、智能互联为纽带,为智能制造提供整体解决方案。目前,公司产品及解决方案广泛应用于消费电子、智能汽车、半导体、工程机械、轨道交通等众多国民经济重要领域,凭借着前瞻性的研发、全产业链的优势和庞大的全球服务网络,华工激光能助您在激光加工领域不断突破,让您在生产中无后顾之忧。
半导体行业
晶圆激光退火、晶圆临时解键合、晶 圆激光划片、晶圆激光标刻、晶圆量 测、激光剥离、晶圆激光打孔等
脆性材料切割、金属/非金属标记、焊接、切割、打孔、锡焊、镀层去除

新能源行业
汽车行业
动力电池焊接、极耳切割、铝壳电 池盖板自动化产线、电池侧向密封 钉自动焊接线、电池托盘焊接
零部件3D标记、零部件金属/塑料焊接、车身焊接、三维切割、汽车电子标记去除、动力电池焊接
电子电路行业
日用消费行业
载板成品板打标、分拣包装、陶瓷 IC载板切割、MiniLed阻焊油墨去 除、全自动覆盖膜切割
食品医药追溯、自动化飞行标记、3D标记、三期标记、打孔
半导体面板事业部

专注于SiC、GaN、InP、GaAs等化合物半导体材料的激光微纳加工领域,凭借先进的激光表面烧蚀、激光内部改质、激光退火等核心工艺加工技术,公司为客户在化合物半导体前后道制程中提供晶圆级激光精密标刻、退火、开槽、表面切割、改质切割和机械裂片一站式激光加工解决方案,真正实现国产替代,解决行业“卡脖子”关键难题。

我们的愿景
致力成为化合物半导体先进激光加工装备行业领先品牌!

激光微纳加工在半导体行业的应用
The Application of Laser micro-nano processing in Semiconductorlndustry
半导体材料主要分为两大类:以硅为主的单元素半导体和化合物半导体(如SiC、GaN、InP、GaAs等)。然而在产业界,又把半导体按发展代际分为:以硅和锗材料为代表的第一代半导体;以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体;以及近年来获得全球半导体市场关注的,以碳化硅、氮化家为代表的第三代半导体。第三代半导体器件(芯片)相比传统的硅锗材料,耐高温高压及开关特性更好,广泛应用于5G、新能源汽车、轨道交通、智能电网、光伏逆变及工业机电等领域。
在化合物半导体材料中,以SiC为首的高硬脆性材料由于硬度高(仅次于金刚石),其在传统机械切割加工生产制造过程中极易产生崩边、微裂纹等情况,极大影响了芯片产品最终的良率和成本。因此,华工激光适应市场需求,针对高硬度化合物半导体晶圆加工,提供一整套激光加工应用解决方案,其加工工艺包括:激光退火、切割、剥离、标刻等,适用于化合物半导体的激光微纳加工,并针对8英寸及以下半导体晶圆,推出了晶圆激光划片、晶圆ID标刻、晶圆激光退火等一系列解决方案。
代系 | 材料 | 主要特点 | 主要应用 |
第一代 | 以硅(Si)、锗(Ge)为代表 | 成本较低、制备工艺成熟、资源较充足、应 用范围广泛 | 集成电路、中低压和中低频晶体管 (分立器件)等 |
第二代 | 以砷化家(GaAs)、磷化铟(InP)为 代表 | 较好的电子迁移率、带隙等材料特征、资源 稀缺、有毒性、污染性 | 光通讯、光显示、光探测器、毫米 波器件等 |
第三代 | 以碳化硅(SiC)、氮化家(GaN)、氧 化锌(ZnO)、金刚石(C)为代表 | 更好的电子迁移率、高电导率、高热导率、 目前成本较高 | 高频和高功率电子器件、新能源汽 车、5G基站、光伏等 |

行业应用
新能源汽车充电桩
逆变器
轨道交通

激光工艺技术 Laser Processing Technology
/ 激光烧蚀 (Laser Ablation)

原理:
利用高能量密度的聚焦脉冲激光束照射材料表面,加热材料时温度迅速上升,瞬时达到材料沸点,汽化形成蒸汽(粉尘等混合物),蒸汽迅速喷出在材料上形成切口。
优势:
非接触式表面加工,能完成传统加工无法实现的复杂工艺(如异形切割) |
激光光束质量好,聚焦光斑小,加工热影响较小,加工效果更精细 |
烧蚀切割效率高,能适应更多材料种类的表面加工 |
激光加工灵活性强,产品多样变化方便,易于实现定制化生产和柔性制造 |
/ 激光改质(Laser Modification)

原理:
优势:
特定波长的激光束通过光路传输和整形聚焦在材料内部,极高的功率密度形成激光改质区域(SD)并产生扩展至材料上下表面的微裂纹(cracks),再通过扩膜裂片或劈刀裂片等方式使得材料沿切割轨迹裂开。
激光无接触加工,减少机械应力对材料的破坏 |
材料上下表面无烧蚀痕迹,切缝宽度和热影响几乎为 零,属于无损切割 |
切割精度高,崩边和豌等缺陷小,几乎无粉尘颗粒物 产生 |
加工效率较传统机械加工提高,尤其对硬度高的材料 |
/激光退火(Laser Annealing)

原理:
利用光学整形和聚焦后的脉冲激光束照射至材料表面,在极短时间(纳秒级别)内使材料表面(或浅表面)达到退火或激活温度,发生物理或化学反应,而达到退火或激活的目的。
优势:
相比传统退火方式,可选择性区域退火 |
均匀性高、效率高、退火效果更好 |
能适应不同材料、不同深度的退火或激活,便利性好 |
相比传统退火方式,能效更高 |
全自动晶圆激光标刻装备LUV3220/LUV3320
主要用于晶圆标记、ID标记,利用定制激光对晶圆进行局部加工,通过表层物质蒸发露出深层物质,或者通过光能导致表层物质的化学物理变化而“刻”出痕迹,显出所需刻蚀的图案、文字、条形码等各类图形,起到晶圆追朔的作用。具有打标精度高、速度快、标记清晰等特点。

设备特点
配置SEMI标准的自动上下料系统 |
搭载高精度CCD视觉定位和复检系统 |
选配不同激光光源(紫外、绿光、红外),适应不同 材料和规格的激光标刻工艺 |
1配置高效率、高流量净化系统 |
项目 | 主要技术参数 | |
主要参数 | 设备型号 | LUV3220/LUV3320 |
中心波长 | 紫外、绿光、红外(纳秒、皮秒选配) | |
平均输出功率 | 5W@软标记、10W@硬标记 | |
上下料方式 | 自动上下料、机械手取料 | |
加工性能 | 打标类型 | SEMIM12、M13、T7 |
晶圆类型 | 6/8/12-inchWafer | |
字符大小 | 最小字符0.2mm | |
打标深度 | 0-5um@软标记、5-100um硬标记 | |
重复打标精度 | ±0.01mm | |
其他 | 应用领域 | IC晶圆、分立器件等 |
通信方式 | SECS/GEM标准 | |
设备尺寸(LxWxH) | 1400mmx1940mmx2150mm | |
设备重量 | 约1T |
样品展示

全自动晶圆激光退火装备LUA3200
通过机台前置EFEM系统预定位,结合定制激光退火头和精密运动平台相对运动,实现对整片SiC晶圆背金(Ni或Ti层)退火,形成良好欧姆接触,降低接触电阻,提高器件电学性能。

设备特点
项目 | 主要技术参数 | |
主要参数 | 设备型号 | LUA3200 |
激光光源 | 绿光、紫光(纳秒) | |
平均功率 | >30W | |
上下料方式 | 自动上下料、EFEM系统 | |
加工性能 | 加工材料 | Ni/SiC、Ti/SiC |
加工尺寸 | 8英寸及以下 | |
比接触电阻率 | <10-Q/cm² | |
接触方式 | 欧姆接触 | |
析碳情况 | 无析碳或少量析碳 | |
其他 | 应用领域 | SiC功率器件 |
SEMI行业标准 | SEMI行业标准认证 | |
通信方式 | SECS/GEM标准 | |
设备尺寸(LxWxH) | 3000mmx2000mmx2100mm |
样品展示

全自动晶圆激光表切装备LUD3220
全自动晶圆激光切割设备通过多组高精度CCD视觉相机定位整片晶圆,实现对6-8英尺不同晶粒规格晶圆的自动识别和定位,结合紫外激光和精密运动平台相对运动,实现对整片晶圆的正面/背面进行表面烧蚀切割(全切、半切、划线、开槽)。

设备特点
设备通过SEMI半导体行业认证 |
配置自动涂覆保护液、纯水清洗、吹干集成单元 |
配有半导体自动晶圆搬运系统及检测系统 |
/具备6-8英寸晶圆正切、背切,及残片晶圆自动切割 |
项目 | 主要技术参数 | |
主要参数 | 设备型号 | LUD3220 |
激光光源 | 绿光或紫外(纳秒、皮秒选配) | |
上下料方式 | 自动上下料、CST2CST | |
加工性能 | 加工材料 | Si、化合物半导体(SiC等) |
加工尺寸 | 8英寸及以下 | |
加工速度 | ≥300mm/s | |
加工精度 | ≤±5μm | |
加工流程 | 涂覆保护液-激光加工-纯水清洗-吹干 | |
其他 | 应用领域 | 功率器件、射频器件、光电器件等 |
SEMI行业标准 | SEMI行业标准认证 | |
通信方式 | SECS/GEM标准 | |
设备尺寸(LxWxH) | 1625mmx1965mmx2150mm |
样品展示

口裂片后Si芯片
全自动晶圆改质切割装备LUSD3310
通过多组高精度CCD视觉相机定位整片晶圆,实现对6-8英尺不同晶粒规格晶圆自动识别和定位,结合定制超快激光和精密运动平台相对运动,实现对整片晶圆的内部改质(隐切),再通过晶圆专用裂片机,实现对晶圆的全切和晶片的分离。

设备特点
项目 | 主要技术参数 | |
主要参数 | 设备型号 | LUSD3310 |
激光光源 | 超快激光(功率<10W) | |
上下料方式 | 自动上下料、CST2CST | |
加工性能 | 加工材料 | 导电型、半绝缘型SiC |
加工尺寸 | 8英寸及以下 | |
加工速度 | ≥500mm/s | |
加工精度 | ≤±3um | |
焦点补偿功能 | 具备动态焦点补偿功能 | |
其他 | 应用领域 | SiC功率器件、SiC射频器件 |
SEMI行业标准 | SEMI行业标准认证 | |
通信方式 | SECS/GEM标准 | |
设备尺寸(LxWxH) | 1550mmx1950mmx2200mm |
样品展示

全自动晶圆裂片装备HUD3010
本产品主要用于SiC、Si、GaAs、陶瓷、玻璃等晶圆片激光切割后的晶圆晶粒劈裂工艺,进行高精度、高效率分离。

设备特点
可实现无人值守作业,人工只需要进行间隔的料框上下料 |
通过CCD进行自动修正,保证设备快速精准劈裂 |
可区分全片及破片,节省作业时间;多种劈裂模式 |
换刀操作一键完成,更换后裂片刀深几乎不变 |
项目 | 主要技术参数 | |
主要参数 | 设备型号 | HUD3010 |
晶圆尺寸 | 4-6英寸 | |
适用铁环 | 标配外径228mm;内径194mm | |
晶圆厚度范围(um) | 60um~450um(碳化硅、氮化、硅、蓝宝石、玻璃等脆性材料) | |
加工性能 | 劈裂效果检查 | 可以用不同方式进行补偿 |
CCD定位 | 通过CCD来定位下刀位置 | |
一键切换 | 可以自动(4种路径可选)/手动劈裂方式 | |
一键换刀 | 一键自动换刀 | |
其他 | 应用领域 | 硬脆材料(SiC、S等)切割后裂片 |
通信方式 | SECS/GEM标准 | |
设备尺寸(LxWxH) | 1350mmx1160mmx1760mm | |
设备重量 | 约1T |
样品展示

封装模块激光开封装备LUS3210
激光开封设备利用高能量的激光束对芯片的表面进行蒸发、气化、化学作用、灼烧等各种手段,从而移除芯片塑封层,暴露芯片、引线、框架、甚至基板,便于进行失效分析。

设备特点
定制激光可编程去除,每层移除范围10~800um,无残留、无烧结 |
最大加工范围达到200x200mm,适合更大尺寸的开封 |
同轴监视观察,可以实时显示并记录开封过程 |
无极变倍聚焦,能够清晰观测到开封芯片状况 |
项目 | 主要技术参数 | |
主要参数 | 设备型号 | LUS3210 |
激光波长 | 红外激光 | |
激光器类型 | 脉冲光纤激光器 | |
加工性能 | 最大加工范围 | 100x100mm |
同轴绘图CCD | 配备同轴绘图视觉 | |
观测光源 | 无影灯光源,明暗度可调节 | |
旁轴全局监控 | 高清晰电控无极变倍视觉 | |
其他 | 烟尘过滤器 | 5级滤芯,700m3/h,0.3u的颗粒过滤效率≥98%以上 |
应用领域 | IGBT封装体、SiC封装体等 | |
设备尺寸(LxWxH) | 735mmx1000mmx1650mm | |
设备重量 | 约120KG |
样品展示

遍布全球的服务网络Global Service Network
依靠前瞻性的工艺研究、全系列的产品体系、高效的交付响应和完善的售后体系,我们可为您提供专业、及时的服务,充分满足您的生产需求。
我们坚持开放包容、互惠共享的全球化战略,在国内外拥有完善的市场服务体系,国内设有办事处40余个,在美国澳大利亚、印度、韩国、巴基斯坦、越南、菲律宾均设有销售和服务机构,在英国、德国、波兰、匈牙利、意大利、阿根廷等国家均配备完善的代理体系,可为全球客户提供专业、高效的服务。
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海外 10个分子公司, 40 + 销售服务中心
国内 6万余平方米的研发及中试基地
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优质高效的服务与支持 Service and Support
售后服务
合同规定的期限和维护范围内提供免费保修与维护,积极响应客户所提出的各种技术支持及维修要求,确保设备正常使用。
技术支持
根据客户的需求和具体情况对项目工程作出可行性分析及建设方案,以减少不必要的投资项目,并和用户共同建设稳定的应用环境。
日常服务
咨询服务、技术支持、项目评估、免费培训。全方位的服务管理体系和健全的服务流程是保证优质服务的基础。
工程服务
为客户提供现场安装、调试和试验、维护保修等服务,以实现在项目中系统运行环境、操作安全和稳定应用的要求。

专精特新共创未来
Innovation Fuels a Better World
华工激光致力于激光智能装备、自动化产线到智能工厂的整体解决方案,携手客户共创价值。
