2023 年八月第三期（双周刊）

行 业 观 察

一、企业风向标

1.上海新昇半导体集成电路硅材料工程研发配套项目封顶，

计划明年投用

（来源：半导体前沿 2023-08-13）

8 月 10 日，上海新昇半导体集成电路硅材料工程研发配套项目封顶仪式在

临港新片区东方芯港举行。

（图片来源：上海临港产业区）

据悉，该项目将联合上海集成电路材料研究院共同承担国家集成电路材料创

新中心项目，拟建设一座硅材料工程技术研发实验基地，计划将于 2024 年投用。

上海新昇半导体科技有限公司是上海硅产业集团股份有限公司的全资控股

子公司，是商业化提供 300mm（12 英寸）半导体硅片的企业。该公司生产的 300mm

硅片广泛用于存储器芯片、逻辑芯片、图像传感器、IGBT 功率器件及通信芯片

等集成电路产业。

2. 瑞联新材拟 4.91 亿元投建光刻胶及高端新材料产业

化项目

（来源：半导体前沿 2023-08-28 ）

近日，瑞联新材发布公告称，公司拟投建光刻胶及高端新材料产业化项目。

计划总投资金额为 4.91 亿元，首期项目投资为 8310.96 万元。项目拟分期建设完

成，用于光刻胶、医药中间体及其它电子精细化学品等产品的生产。

瑞联新材表示，光刻胶作为半导体、平板显示及 PCB 行业制造环节的关键材

料，近年来，伴随国内外晶圆厂商产能扩张逐步落地，半导体相关材料需求旺盛，

呈稳步上升趋势。在 PCB、显示面板和集成电路产业国产化进程加速、产业链自

主可控需求迫切的背景下，作为上游关键材料的光刻胶呈现明显的进口替代趋势，

国产半导体用光刻胶将迎来快速发展的机遇。

瑞联新材称，通过本项目的建设，公司将有效扩大电子化学品产能规模，匹

配下游日益增长的市场需求，加快国产替代市场占有步伐，培育新的利润增长点。

3.7 月初宣布完成首轮融资，滨州裕能下一步将关注光刻胶

溶剂等电子化学品需求

（来源：半导体前沿 2023-08-12 ）

今年 7 月初，滨州裕能化工有限公司（以下简称“滨州裕能”）对外宣布公

司已于近日完成首轮股权融资，融资所得资金将用于公司 NMP 产品业务拓展及电

子化学品产品布局等方面。

据悉，滨州裕能成立于 2011 年，是行业领先的锂电池材料生产商和微电子

化学品集成供应商。在微电子领域，引入国际领先的湿电子化学品生产技术及品

控体系，生产新型显示、半导体集成电路等行业工艺制程专用湿电子化学品及光

刻胶配套试剂。

公司建有超净高纯千、百、十级洁净实验室和滨州思达材料科学研究院，与

国内头部科研院所组建联合研发团队，与产业链企业密切合作，协同开展产品开

发及国产化替代。

将重点布局有机电子化学品，光刻胶溶剂是关注点之一

作为光刻胶溶剂供应商，滨州裕能/载元裕能可稳定生产 G3,G4 级别的 NMP、

GBL、IPA、PM、PMA、EBR-7030、TMAH 等湿电子化学品，产品主要应用领域涵盖

新能源（锂电池），新材料（聚酰亚胺，氨纶），光刻胶，面板及半导体领域等。

滨州裕能向有关媒体透露，公司未来将重点布局有机类电子化学品领域，关注

光刻胶溶剂，半导体清洗材料等需求，努力成长成为湿电子化学品专业服务提供

商。

滨州裕能发表了对光刻胶行业的美好祝颂：光刻胶产业未来在中国会朝向高端

应用 ArF、EUV 等方向发展，虽然过程艰难，但我们希望能尽快看到本土产品充

分、全面地替代进口产品的那一天。”

4. 8.05 亿！天岳先进新签碳化硅衬底大单

（来源：半导体前沿 2023-08-27）

近日，天岳先进发布公告，公司与客户 F 签订了一份框架采购协议，

约定 2024 年至 2026 年公司向合同对方销售碳化硅产品，按照合同《产品

供 货 清 单 》 ， 预 计 含 税 销 售 三 年 合 计 金 额 为 人 民 币 80,480.00 万 元

订单方面，去年 7 月，天岳先进表示与某客户签订了一份长期协议，

约定 2023 年至 2025 年公司及上海天岳向合同对方销售价值 13.93 亿元的 6

英寸导电型碳化硅衬底产品；今年 4 月，天岳先进又在财报中披露，已经

与博世集团签署长期协议。

今年 5 月，天岳先进与英飞凌签订全新衬底和晶棒供应协议。根据该协

议，天岳先进将为英飞凌供应用于制造碳化硅半导体的高质量并且有竞争

力的 150 毫米碳化硅衬底和晶棒，第一阶段将侧重于 150 毫米碳化硅材料，

但天岳先进也将助力英飞凌向 200 毫米直径碳化硅晶圆过渡。

英飞凌表示，该协议的供应量预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份

额，这不仅有助于保证英飞凌供应链的稳定，让其碳化硅材料供应商体系

多元化，还能够确保英飞凌获得更多具有竞争力的碳化硅材料供应。

产品方面，目前天岳先进以 6 英寸导电型碳化硅衬底为主，满足全球

客户的需求。产能上，天岳先进上海临港工厂已经进入产品交付阶段，持

续发力提升 6 英寸衬底的产量；晶体质量和厚度持续提升，规模化生产衬

底质量稳定可靠。通过自主扩径技术制备的高品质 8 英寸产品，目前也已

经具备产业化能力。

今年 5 月消息，上海临港新片区管理委员会对外公示了《关于“天岳半

导体碳化硅半导体材料项目（调整）”》的环评审批意见。

根据环评审批意见公示，天岳半导体将通过优化生产工艺、调整生产设备、

原辅材料和公辅环保设施等方式，提高产品质量和产量。调整后，6 英寸

SiC 衬底的生产规模将扩大至每年 96 万片。

据了解，上海临港项目于 2021 年确立，总投资 25 亿元。彼时，天岳先

进正在推进上市进程，其计划募资 20 亿元投向临港项目的建设，扩充 SiC

半导体材料产能。该项目已于 2022 年 3 月成功封顶，并在最近开始交付。

值得注意的是，按照之前的规划，临港项目全部达产后，SiC 衬底的产能约

为 30 万片/年，而通过此次的产能调整，临港项目产能将扩大 220%，达 96

万片/年。

此外，在技术及研发方面，天岳先进持续保持较高的技术研发投入，积极

布局前瞻性技术。天岳先进采用液相法制备出了低缺陷的 8 英寸晶体，通

过热场、溶液设计和工艺创新突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺

陷控制难题，尚属业内首创。

除了产品尺寸，在大尺寸单晶高效制备方面，采用天岳先进最新技术

制备的晶体厚度已突破 60mm，而这对提升产能具有重要意义，该技术也是

天岳先进重点布局的技术方向之一。

5.又一家光刻胶厂商开启上市辅导！

（来源：半导体前沿 2023-08-26）

据披露，江苏博砚电子科技股份有限公司(以下简称“博砚电子”)于

2023 年 8 月 23 日与国金证券签署了《江苏博砚电子科技股份有限公司与国

金证券股份有限公司关于首次公开发行股票并上市之辅导协议》。

资料显示，江苏博砚电子科技股份有限公司成立于 2014 年 7 月，是一

家集研发，生产 TFT-LCD 彩色滤光片用光刻胶的专业厂家。公司主营产品

为光刻胶（Photo Resist）,光刻胶广泛适用于 TFT-LCD 液晶显示屏、印刷

电路和集成电路以及印刷制版等过程。

公司持续技术创新战略，凭借自身雄厚的科研实力，突破本土制造的

长期技术瓶颈，已经成功开发出系列光刻胶产品。

6.鑫华半导体 1500 吨硅基电子特气项目开工！

（来源：半导体前沿 2023-08-25）

8 月 22 日，鑫华半导体 1500 吨硅基电子特气项目开工仪式举行。鑫华

半导体消息显示，该项目占地面积约 500 平方米，将于 11 月进行系统调试

安装，12 月底完成试生产。未来将专注于高端气体的开发研究，打造规模

化产业集群，致力于成为高纯硅基电子特气业务领军企业。

背景介绍:

电子特气是半导体、微电子、集成电路等电子信息产业的关键原材料。

鑫华半导体依托自身闭环成套化的电子级多晶硅工艺生产技术，在生产电

子级多晶硅的同时得到三氯氢硅，经过特气充装站过滤得到高纯电子级三

氯氢硅，大幅降低生产制造成本。项目建成后将进一步提高原料利用率。

鑫华半导体是国内率先系统掌握高纯电子级多晶硅制备技术的企业，该

公司产品已通过国内大部分领先的半导体硅片厂商认证，并形成规模化销

售，实现硅部件从特制尺寸到 12 寸硅片生产的全覆盖。

7.天岳先进、天科合达正加快 8 英寸 SiC 产能建设！

（来源：半导体前沿 2023-08-23）

据电子时报消息，天岳先进、天科合达这两家中国企业正在加紧进行 8

英寸 SiC 碳化硅晶圆产能建设，两家企业都是英飞凌的供应商。随着风力

发电、太阳能和储能领域需求的激增，加大了碳化硅的需求，因此主要供

应商不断扩大产能。

天岳先进、天科合达正在帮助英飞凌提高碳化硅产能，以实现后者到

2030 年占据 30%全球市场份额的目标。

8 月，天科合达位于徐州的碳化硅二期扩产项目开工建设，总投资达

8.3 亿元人民币。该项目投产后，年产能可达 16 万片碳化硅晶圆该公司已

开发出第五代晶体生长炉，可满足 6 英寸、8 英寸碳化硅制造需求，预计

2024 年底前可交付小批量 8 英寸碳化硅基板，2025 年第三季度交付量将会

稳定。

天岳先进已开始交付 6 英寸导电型碳化硅衬底，并增加其上海临港工

厂的 6 英寸产能，预计到 2026 年产能可达到每年 30 万片晶圆。该公司与

英飞凌合作的第一阶段，将为其提供 6 英寸碳化硅晶圆，随后会过渡到 8

英寸晶圆，这会有助于降低成品成本。

目前，只有美国厂商 Wolfspeed 有能力大规模量产 8 英寸碳化硅衬底，行

业预测到 2026 年，8 英寸占比将达到 14%。

8.投资超 28 亿！鑫华半导体万吨电子级多晶硅项目预计

9 月底竣工

（来源：半导体前沿 2023-08-22 ）

近日，内蒙古鑫华半导体科技有限公司一万吨半导体级多晶硅项目传

来新进展。内蒙古鑫华半导体科技有限公司的控股股东为江苏鑫华半导体

科技股份有限公司，江苏鑫华半导体科技股份有限公司于 2015 年在江苏徐

州成立，是国内率先系统掌握高纯电子级多晶硅制备技术的企业。今年 7

月，该公司成功入选国家专精特新“小巨人”企业。

该公司官网消息显示，该项目目前已进入设备安装阶段，工程总体进

度已完成 85%，预计今年 9 月底竣工，10 月调试并运行，本年度可生产多

晶硅 1000 吨。

项目介绍：

鑫华一万吨半导体级多晶硅项目总投资 28.3 亿元，于 2022 年 9 月开

工建设，可年产高纯电子级多晶硅 10000 吨、二氯二氢硅 500 吨、三氯氢

硅 3000 吨、四氯化硅 3000 吨，该项目计划将于 2024 年底全部达产。

9.新增 120 万片年产能！山东有研硅片扩产项目开工

（来源：半导体前沿 2023-08-21）

8 月 18 日，山东有研刻蚀设备用硅材料及硅片扩产项目开工仪式在天

衢新区举行。

本次开工的刻蚀设备用硅材料及硅片扩产项目是有研半导体硅材料股

份公司的上市募投项目。其中，刻蚀设备用硅材料项目总投资 3.57 亿元，

主要生产大尺寸单晶硅部件加工品，项目达产后年新增硅材料 204 吨；8 英

寸硅片扩产项目总投资 3.84 亿元，全部达产后新增 8 英寸硅片产品 120 万

片/年的生产能力。

10.重磅！计划 130 亿投资的晶圆厂申请破产！

（来源：半导体产业联盟 2023-08-26）

最新消息，资不抵债的江苏时代芯存半导体有限公司（下称：时代芯

存）寻求新一轮投资无果后，这家总计划投资 130 亿人民币、立志打造年

产 10 万片相变存储器的 12 英寸晶圆厂如今已正式进入破产清算程序。

11.34 亿！6 寸砷化镓晶圆厂项目开工！

（来源：半导体产业联盟 2023-08-22）

8 月 1 7 日 ， 珠 海 高 新 区 2 0 2 3 年第三季度重点项目集中开工

活动在高新区北沙三生产业园举行，仪式上，珠海高新区 2 5 个

重点项目集中开工建设，总投资 4 5 1 . 6 亿 元 ，其 中 包 括 由 格 力 集

团 投 资 打 造 的 全 市 产 业 立 柱 项 目 — — 华 芯 （ 珠 海 ） 半 导 体 砷 化 镓 总

部 研 产 基 地 ， 以 及 格 创 ·芯 谷 5.0 产 业 新 空 间 二 期 项 目 。

（高新区 2023 年第三季度重点项目集中开工活动）

华芯（珠海）半导体

打造国际领先的一站式“芯”平台

华芯半导体为全球第四家、国内唯一以 I D M 模式实现 2 5 G & 5 6 G

P a m 4 V c s e l 芯片大规模出货的厂商，在集成电路产业具有领先

地 位 。今 年 3 月 ，格 力 金 投 与 中 芯 聚 源 联 合 领 投 华 芯 半 导 体 ，助

力华芯珠海核心团队完成数亿元融资， “ 以 投 促 引 ” 推 动 华 芯

（ 珠 海 ）半 导 体 砷 化 镓 总 部 研 产 基 地 项 目 落 户 珠 海 ，并 在 珠 海 投

资 建 设 总 投 资 约 3 4 亿 元 、产 能 达 1 . 5 万 片 /月 的 6 寸 砷 化 镓 晶 圆

代 工 厂 。

与 此 同 时 ，格 力 集 团 通 过 旗 下 建 设 投 资 板 块 出 资 约 6 . 2 1 亿元，

为华芯半导体分两期建设总计容建面约 8 . 2 6 万平方米的 定制化

5.0 产业新空间。该 项 目 预 计 2024 年 7 月 具 备 入 驻 条 件 、9 月 试

投 产 ，满 产 后 年 产 值 可 达 3 2 亿 元 、年 税 收 贡 献 3.75 亿 元 ，助 力

珠海进一步巩固在集成电路产业发展方面的地位。

（华芯（珠海）半导体砷化镓总部研产基地效果图）

格创·芯谷二期

为珠海产业发展创造强链补链新空间

二期项目重点发展半导体产业，同时依托长园科技集团等已入

驻一期项目的链主企业和多个补链强链 项 目 ，辅 以 发 展 高 端 装 备

制 造 等 产 业 ，建 成 后 将 进 一 步 增 强 高 新 区 5 . 0 产业新空间的规模

体 量 ， 加 速 打 造 珠 海 东 部 片 区 “ 超 级 孵 化 器 ” 。 项 目 预 计 2024

年 下 半 年 竣 工 验 收 ， 目 前 已 储 备 意 向 入 驻 企 业 1 2 家 ， 意 向 租 赁

面积达 1 5 万 平 方 米 。

目前，格创·芯谷一期已建成交付，园区内的长园泽晖、云充科技、

洛仑兹等多家企业已投产，预计今年底产值将超 10 亿元；全市产业立

柱项目 12 英寸晶圆级 TSV 立体集成、华芯半导体均正式开工；入驻格

创·园谷的长园智造（广东基地）于本月初实现投产；格创·数谷作为

高新区 5.0 产业新空间的“产业会客厅”，已有世宁达、珦盛新材料、

军卫科技等 11 家企业签约入驻。

（格创·芯谷二期项目效果图）

二、业界要闻

1.德国领跑欧洲半导体竞赛

（来源：半导体行业观察 2023-08-17）

随着《欧洲芯片法案》注入新的资金，德国正在努力稳定其境内的欧洲半导

体行业。

德国通常被认为是欧洲的工业强国，现在它也计划成为硅强国。欧盟最近通

过了《欧洲芯片法案》，旨在到 2030 年将半导体晶圆厂产能翻一番。德国正在努

力利用 43B 欧元芯片法案补贴计划和本土补贴来吸引大部分产能进入其境内。

德国支持欧洲供应链计划

科技界仍在遭受最近一系列供应链中断的影响，并因 COVID-19 大流行而加

剧。美国和欧洲越来越担心亚洲电子供应链的脆弱性和不稳定性，导致许多国家

推动地域多元化。

德国已经是欧洲半导体行业的重要参与者，最近至少宣布了五个主要的新设

施、计划或扩建。

（下图为进入或扩张德国的芯片公司）

2.千亿产值背后，无锡打造集成电路“金字招牌”

（来源：半导体行业观察 2023-08-17）

8 月 9 日-11 日，以“芯联世界 锡创未来”为主题的 2023 集成电路（无锡）

创新发展大会在无锡隆重召开。

此次大会由无锡市人民政府、江苏省工业和信息化厅共同举办，集聚国内外

集成电路领域专家智库、产业龙头和配套生态企业，突出“专业化、市场化、品

牌化”特色，为企业搭建对接交流、开放链接、合作共赢的平台。

此外，无锡国家“芯火”双创基地汽车芯片可靠性检测平台、总规模 50 亿

元的无锡市集成电路产业专项基金、江苏省（无锡）集成电路产业融合集群等一

批国家级平台、专项基金、集群试点在开幕式现场正式揭牌。与此同时，30 多

个重点产业项目进行了集中签约，签约总金额超 200 亿元，全面支撑集成电路产

业高质量发展。

综合来看，作为首届集成电路（无锡）创新发展大会，本届大会充分发挥了

无锡市全产业链优势和产业底蕴深厚的独特优势，带动产业链上下游紧密协同、

创新合作，有助于全面促进全市乃至全省、全国集成电路产业核心竞争力和整体

发展水平提升，有力助推集成电路产业更好强链-补链-延链。

（代表企业重点产业项目签约仪式）

在市场化驱动、政策引导和资本力量加持下，无锡“攻芯战”版图日渐生动，

引领着一批新晋科技创新企业快速成长与壮大。

*无锡集成电路产业的实力与努力*

无锡作为国内集成电路产业主要发源地之一，半个多世纪以来专注强“芯”，

除了一批新晋企业之外，早已涌现出华润微电子、中科芯、长电科技、SK 海力

士、华虹无锡、海太半导体、中环领先、卓胜微等一大批在业界有影响力的龙头

企业和单打冠军企业。

从产业链各环节来看，无锡是国内集成电路产业少有的涵盖研发设计、制造、

封装测试、装备材料、支撑服务等环节的完整产业链的城市。具体来看，无锡在

设计业发展十分迅速，拥有一批掌握核心技术的上市企业，其中卓胜微是全省首

家上市的设计企业，为国内射频芯片龙头企业；芯朋微、力芯微已在科创板上市；

新洁能则在上证所主板上市。

制造业规模庞大，无锡晶圆制造业开创了国内代工先河，全省规模最大的

10 家晶圆制造企业有 7 家在无锡，分别为 SK 海力士、华润微、无锡华虹、海辰

半导体、江阴新顺、中微晶圆、东晨电子。

无锡在封装测试业的规模、技术水平均处于全国领先，江苏长电、全讯射频、

海太半导体、盛合晶微等 4 家企业位居全省前十，其中江苏长电位居全国第一、

全球第三。在核心技术攻关方面，无锡建有国家集成电路特色工艺及封装测试创

新中心。

支撑业方面，无锡支撑配套业涵盖了集成电路专用装备、核心零部件以及原

材料的众多门类，并在多个细分领域取得领先地位，如江阴地区的化学试剂业为

全国第一；微导纳米、邑文科技等自主研发的薄膜沉积设备、刻蚀设备等达到国

内领先水平。

据数据统计，2022 年，无锡市集成电路产业规模达到 2091 亿元，同比增长

15.2%。今年 1-6 月份，无锡市集成电路列统规上企业 219 家，实现产值 1065.48

亿元，同比增长 9.5%。目前，无锡集成电路产业规模占全省 1/2、全国 1/8，龙

头企业集聚发展，14 家上市企业、34 家国家级专精特新“小巨人”企业，超 300

家高新技术企业，预计 2025 年全市集成电路产业规模将超 2800 亿元。

在产业生态方面，无锡先后获批国家集成电路设计产业化基地（全国共 8

家）、国家微电子高技术产业基地（全国共 2 家）、国家“芯火”双创基地（地级

市唯一），致力于以高水平支撑体系为产业发展赋能。

政策方面，无锡在 2016 年首次出台集成电路专项政策，后续不断迭代升级，

陆续制定出台了《关于加快建设具有国际影响力的集成电路地标产业的若干政

策》、《无锡市集成电路产业集群发展三年行动计划（2023—2025 年）》等系列政

策，从支持产业发展壮大、企业创新发展、项目加快建设、人才引进培育、产业

协同发展、产业环境提优等多方面制定了政策意见，着力注重集成电路产业发展

的系统性、针对性和创新性。

同时，无锡也更加注重拿出“真金白银”，加大补贴力度。今年 6 月推出的

新政将专项资金提高 3 倍，增至 3 亿元，将有力支撑无锡建设具有国际影响力和

核心竞争力的集成电路地标产业集群，引领全产业链高质量发展。

在政策鼓励和营商环境的有力加持下，一系列重点项目也正在持续助推无锡

集成电路攀升产业链高端。2023 年，无锡握有华虹制造、中环领先二期、长电

微电子微系统制造、盛合晶微三维多芯片封装等一批新建在建项目，全年总投资

超 1700 亿元。重大项目、龙头企业频频“加码”投资无锡，其背后逻辑不难分

析，一方面与产业导向高度契合。近年来无锡市把集成电路产业作为战略性新兴

产业重点发展，全方位提供产业“生态土壤”，为集成电路企业提供了发展的沃

土。

*结语*

“到 2025 年，力争建成具有国际影响力的集成电路地标产业集群”，这是

无锡为自己定下的远景目标，更是无锡大力发展集成电路的决心和姿态。而这背

后亦是无锡立足产业基础和技术创新优势的自信自强。

未来，无锡将推进“双中心”建设，支持国家集成电路特色工艺及封装测试

创新中心做大做强的同时，加快在信创芯片生态圈、车规级芯片创新圈、高端功

率半导体产业链、第三代半导体全产业链“两圈两链”领域的快速布局，精准发

力。同时，将持续深化设计企业与制造企业、材料装备与制造企业、本地零部件

中小企业与装备企业、资本与产业“四个对接”，推动集成电路产业链协同创新。

3.半导体材料，将强势复苏

（来源：半导体行业观察 2023-08-13 ）

提供半导体供应链业务和技术信息的电子材料咨询公司 TECHCET 宣布，鉴

于全行业经济放缓，材料供应链库存水平较高，2023 年半导体材料市场将至少

萎缩 3% 。今年的下降将导致半导体材料的收入总额降至 696 亿美元，低于 2022

年报告的 71.7 美元。

TECHCET 预测 2024 年市场将强劲复苏，材料总收入将增长 8%，达到近 750

亿美元。预计未来 5 年复合年增长率为 4%，到 2027 年市场规模将达到 880 亿

美元。

2023 年的经济放缓纠正了整个供应链的材料供应限制。随着行业复苏和全

球新晶圆厂的增加，对材料的需求将会增强。300 毫米晶圆、外延晶圆、一些特

种气体以及可能的铜合金靶材的供应预计将恢复紧张。

EUV 相关加工（复合年增长率 20%）和 3D NAND 制造（复合年增长率>5%）

的先进光刻胶和辅助化学品将推动 2024 年及以后的强劲市场需求。TECHCET 预

计，到 2027 年预测期内，特种气体市场的复合年增长率将超过 7%。

光刻胶市场预计将增长

正如 TECHCET 的新光刻材料关键材料报告中所提到，展望未来，市场预计

将保持强劲，2022-2027 年的 5 年复合年增长率为 4.1% 。“增长最快的光刻胶

产品是 EUV 和 KrF”。

用于“传统”节点（如 I、G 和 KrF/248nm）的光刻胶材料也将支持市场的

持续增长。随着三星、台积电和英特尔等公司将一些工艺从 ArF 和 ArFi（193nm

和 193nm 沉浸式 193i）转向 EUV 和 193i 的组合，EUV 产量正在不断增加。

美光和 SK 海力士预计也会效仿。

由于晶圆厂扩建和其他国际供应商的出口限制，为台湾台积电和韩国三星提

供支持的小型光刻胶公司正在当地市场站稳脚跟。尽管日本政府（2023 年 3 月

之前）限制向韩国和中国出口某些光刻胶供应，但总部位于日本的光刻胶公司目

前占据光刻胶市场 75-90% 的份额。虽然其中一些限制已经取消，但地缘政治贸

易中断推动了中国大陆、台湾地区和韩国当地材料供应商的本土化。

4.2023 年将有 13 座新的 12 英寸晶圆厂投产！

（来源：半导体产业联盟 2023-08-14 ）

2023 年将有 13 座新的 12 英寸晶圆厂投产。据 Knometa Research 称，这些

新晶圆厂将主要生产功率晶体管、先进逻辑芯片和代工服务。

根据截至2022年底的建设计划，15座12英寸晶圆厂将于2024年投入运营。

到 2025 年，计划新建的晶圆厂数量将创历史新高，其中 17 座将开始生产。根据

Knometa2023 年全球晶圆产能研究估计，到 2027 年，预计将有超过 230 座 12 英

寸晶圆厂投入运营。

（2023 年新投产的 12 英寸厂）

Knometa 指出，在 2023 年开业的 13 座 12 英寸晶圆厂中，有 5 座专注于非

IC 产品的生产。今年首次亮相的新 12 英寸晶圆厂中有三分之二用于代工服务，

其中四个完全致力于为其他公司代工制造半导体。

5.目标规模 50 亿元，浙江省拟设集成电路产业基金

（来源：全球半导体观察 2023-08-14）

为服务《浙江省“415X”先进制造业集群建设行动方案（2023—2027 年）》

和组建浙江省“415X”产业集群专项基金的战略部署，日前浙江省产业基金（以

下简称“省产业基金”）拟联合绍兴国有出资主体和社会资本组建设立浙江省集

成电路产业基金，目标规模 50 亿元人民币。

浙江省集成电路产业基金将重点支持集成电路设计、制造、设备、材料产业

链为主的产业领域，高水平助力建设浙江特色现代化产业体系。

(图片来源：浙江省财政厅公告截图)

6.日本或更可能实施对光刻机/薄膜沉积设备的出口管制

（来源：半导体前沿 2023-08-28）

日本对华半导体设备出口禁令于 7 月 23 日正式生效，此次出口管制共

计 23 品类半导体设备，涵盖光刻、刻蚀、薄膜沉积、热处理、清洗和检验

等。相关咨询公司对此指出，未来对光刻和薄膜沉积设备的限制更有可能

实施，从而影响中国先进的半导体制造。

在光刻设备方面，荷兰 ASML 和日本尼康、佳能公司是主要供应商，占

据全球 95%以上的市场份额；在刻蚀设备方面，美国泛林集团、应用材料和

日本东京电子（TEL）是主要参与者，全球市场份额合计超过 90%；在薄膜

沉积设备方面，主要厂商有美国 KLA、应用材料及日本日立、东京电子和

Ulvac（真空技术株式会社），此外还有瑞士 Evatec 和荷兰 ASM。总的来说，

这些公司约占全球市场份额的 80-90%。

海关数据研究显示，2022 年中国半导体设备进口的 60%以上仍来自美

国、日本和荷兰，其中日本仍是中国最大的半导体设备来源国，约占进口

额的 30%。

日本近一半的出口管制与薄膜加工设备有关。然而，此类设备涉及多

种工艺。在此背景下，出口管制将主要针对诸如采用钴和钌等材料进行先

进工艺的金属互连沉积设备、用于 40nm 以下工艺的原子层沉积（ALD）设

备，以及多图案化工艺所需的硬掩膜沉积设备。

对于光刻设备，日本浸润式深紫外（DUV）光刻设备的出口可能会受到

影响。尽管日本不生产极紫外（EUV）光刻设备，但分析指出，管制措施仍

将针对 EUV 掩膜沉积设备、与 EUV 工艺涂层和开发相关的设备，以及用于

EUV 设备的空白或预曝光掩膜的检查设备。

值得注意的是，在刻蚀设备方面，日本对硅锗（SiGe）的湿法刻蚀和

干法刻蚀设备都有限制。相比之下，对于硅等其他材料，管制措施仅涉及

干法刻蚀设备。分析人士认为，日本对硅锗刻蚀设备出口管制更加严格，

主要是由于硅锗器件会广泛应用于航空航天、军事等行业。

7.电子新材料产业园项目封顶，将新建 20 余条第三代半

导体材料应用等生产线

（来源：半导体前沿 2023-08-19）

近日，姜谭经开区电子新材料产业园项目研发大楼主体结构封顶，电

子新材料产业园项目是市、区重点项目，总占地面积 88 亩，计划建设 10

万平方米生产厂房及技术研发大楼等辅助设施，新建 20 余条第三代半导体

材料应用、封装测试等生产线。

主要生产半导体氮化镓、碳化硅、砷化镓等晶圆、芯片以及相关半导

体智能科技应用产品，在 5G 通信、航空航天、物联网等诸多重要领域有广

泛的应用前景。

项目建成后，预计实现年产值达 30 亿元，未来 5 年总体拉动产值规模

将突破 100 亿元。同时将进一步完善全区电子信息上下游产业链条，带动

传感器、微电子等相关产业发展。

8.台积电美国厂导入首台 EUV 光刻机

（来源：半导体前沿 2023-08-20 ）

8 月 19 日，据经济日报报道，台积电美国亚利桑那州厂导入当地第一

台极紫外光（EUV）设备。

台积电在亚利桑那州投资设立 2 座先进晶圆厂，第 1 座晶圆厂目前已

完成硬体建筑，正进行数千台先进及精密设备安装作业，包含亚利桑那州

第一台 EUV 设备; 第 2 座晶圆厂建设也顺利进展。

美国亚利桑那州凤凰城市长日前赴台积电亚利桑那州厂参访，并表示，

台积电投资凤凰城，将使凤凰城成为世界最先进半导体的中心，最先进的

微晶片很快就会在凤凰城制造。

台积电表示，将致力与供应商合作创造当地就业机会，同时提供具包

容性的工作环境，努力建立可持续的供应链。台积电亚利桑那州第 1 座晶

圆厂预计 2025 年量产 4 纳米制程芯片。

综合日经亚洲和路透社报道，台积电在美国亚利桑那州设立的新厂计

划在 2024 年投入使用，而在第一厂附近设立的第二座工厂则将于 2026 年

运行。

台积电于 2020 年 5 月宣布在亚利桑那州建厂，最初承诺投入 120 亿美

元。去年 12 月，该公司将投资增加到 400 亿美元，并计划用更先进的——

虽然不是最先进的——芯片制造技术升级工厂。台积电最初设定该工厂将

于 2024 年开始量产，但近期又将量产时间推迟至 2024 年底，以便增加更

多缓冲时间来处理不确定性因素。

9.中芯国际“晶圆清洗方法”专利获授权!

（来源：半导体产业联盟 2023-08-24）

近 日 ，据 国 家 知 识 产 权 局 官 网 消 息 ，中 芯 国 际 专 利 名 称 为“ 晶

圆 的 清 洗 方 法 ”的 法 律 状 态 为 已 获 授 权 ，公 开 号 为 C N 1 1 1 5 8 4 3 4 0 B。

（ 图片来源：国家知识产权局官网截图 ）

中芯国际 专 利 指 出 ，目 前 在 半 导 体 器 件 的 制 造 工 艺 中 ，经 常

会 在 具 有 叠 层 结 构 的 半 导 体 器 件 表 面 上 形 成 凸 凹 不 平 的 结 构 ，通

常使用化学机械研磨 ( C M P )工艺平整凸凹不平的表面。化学机械

研 磨 亦 称 为 化 学 机 械 抛 光 ，是 目 前 机 械 加 工 中 唯 一 可 以 实 现 表 面

全 局 平 坦 化 的 技 术 。在 化 学 机 械 研 磨 工 艺 之 后 ，研 磨 液 中 的 颗 粒

成 为 缺 陷 微 粒 存 在 于 晶 圆 表 面 ，因 此 必 须 从 晶 圆 表 面 完 全 除 去 才

能 保 持 半 导 体 器 件 的 可 靠 性 和 生 产 线 的 清 洁 度 。鉴 于 此 ，实 有 必

要 提 出 一 种 晶 圆 的 清 洗 方 法 ，以 提 升 清 洗 效 果 ，从 而 提 高 产 品 的

良率。

专 利 摘 要 显 示 ，一 种 晶 圆 的 清 洗 方 法 ，包 括 以 下 步 骤 ：提 供

晶圆；清洗所述晶圆表面，清洗后的所述晶圆表面呈正电性，晶

圆 表 面 残 留 物 具 有 负 电 性 ；调 节 所 述 晶 圆 表 面 电 性 或 所 述 残 留 物

的 电 性 ，使 所 述 晶 圆 表 面 和 所 述 残 留 物 的 呈 相 同 电 性 ；对 所 述 晶

圆表面进行干燥，去除所述残留物。根据同性相斥的原理，经过

调 节 后 所 述 残 留 物 与 所 述 晶 圆 表 面 电 性 相 同 ，因 此 所 述 残 留 物 不

会 粘 附 在 所 述 晶 圆 的 表 面 ，而 是 悬 浮 在 晶 圆 表 面 的 液 膜 内 。在 后

续 的 干 燥 过 程 中 ，悬 浮 在 液 膜 内 的 残 留 物 会 随 着 液 膜 一 起 被 去 除 ，

提高了产品良率。

10.全球首个碳化硅半导体外延晶片 SEMI 国际标准正式

发布

（来源：半导体在线 2023-08-24）

今年第二季度，国际半导体产业协会（SEMI）正式发布了碳化硅半导

体外延晶片全球首个 SEMI 国际标准 — — 《 4H-Si 同质外延片标准》

（Specification for 4H-SiC Homoepitaxial Wafer）。

此标准由瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司主导编写，由中国

科学院半导体研究所、株洲中车时代电气股份有限公司、Wolfspeed 等十二

家单位参与编写，历时近三年时间。

国际半导体产业协会（SEMI）是全球性的产业协会，致力于国际标准

的制定，积极促进微电子、平面显示器及太阳能光电等产业供应链的整体

发展，代表着全球各地产业的呼声和需求，是行业发展趋势的风向标。

《4H-SiC 同质外延片标准》这一国际标准的发布实施，将在规范国际碳化

硅半导体外延行业有序发展，降低国际贸易协作成本，加速新技术在全球

的推广等方面具有深远的意义。

11.国内两个集成电路学院迎新动态

（来源：全球半导体观察 2023-08-21）

“CEC 中国电子”消息，8 月 18 日中国电子与南京航空航天大学围绕共建集

成电路学院和大数据研究院进行深入交流并签署合作备忘录。

中国电子表示，中国电子与南航签署战略合作协议，就人才联合培养、科研

协同攻关、科技成果转化、创新平台共建等方面开展深入合作，并取得阶段性成

效。希望双方在现有合作框架下，围绕“解难题、夯基础、育人才”三个方面，

进一步厘清、量化具体目标，聚合优势资源，通过共建集成电路学院、大数据研

究院，聚焦破解制约企业、产业发展的“卡脖子”问题，夯实基础科学根基，培

育符合未来产业发展需求的高端人才，推动合作取得务实成果，携手打造具有全

球竞争力的世界一流企业和中国特色世界一流大学。

另据泉州信息工程学院消息，近日，福建省教育厅公布福建省第二批现代产

业学院项目立项名单，共有 13 个项目获得立项，泉州信息工程学院申报的集成

电路现代产业学院成功入选。泉州信息工程学院集成电路现代产业学院由福建省

集成电路产业园区建设筹备工作组、胜科纳米（福建）有限公司、渠梁电子有限

公司、晋江三伍微电子有限公司等联合组建，以新一代信息技术人才培养为核心，

以集成电路设计、封装测试、芯片诊断技术创新为突破，实现“教育链-创新链产业链-人才链”有机衔接，打造政产学研用价值共同体，培养高素质应用型人

才，服务集成电路产业发展。

12.签约、开工、投产…国内又一批半导体项目有新进展

（来源：全球半导体观察 2023-08-21）

近期，国内半导体行业动态频频，签约、开工、投产等消息不断传出，

项目涵盖第三代半导体、封装测试、半导体材料、车规级芯片等领域，涉

及企业包括有研硅、朗科科技、长电科技、艾为电子等。

·韶关首家芯片半导体封测企业投产

据“Netac 朗科科技”消息，8 月 18 日，韶关朗正数据半导体有限公

司（以下简称“韶关朗正”）在韶关举行开业仪式。

据悉，目前，该公司的生产设备正在安装调试中，预计 9 月初将具备

生产能力。首期预期月产能达到 3KK 颗 BGA、1KK 的 UDP 和 2KK 的 TF 卡。

韶关朗正提供 Flash BGA、TF 卡、U 盘、eMMC、eMCP 等多种存储类封

装产品，并具有完善的封测制造工厂。其产品应用广泛，涉及手机、平板、

游戏机、车载存储、可穿戴设备等，还提供存储类产品的解决方案。

·山东有研刻蚀设备用硅材料及硅片扩产项目开工

8 月 18 日，山东有研刻蚀设备用硅材料及硅片扩产项目开工仪式在天

衢新区举行，计划打造国内领先集成电路关键材料基地。项目总投资 7.4

亿元，预计 2025 年投产。

其中，刻蚀设备用硅材料项目总投资 3.57 亿元，主要生产大尺寸单晶

硅部件加工品，项目达产后年新增硅材料 204 吨；8 英寸硅片扩产项目总投

资 3.84 亿元，全部达产后新增 8 英寸硅片产品 120 万片/年的生产能力。

·华芯（珠海）半导体砷化镓总部研产基地开工

8 月 17 日，珠海高新区 2023 年第三季度重点项目集中开工活动在高新

区北沙三生产业园举行。本次集中开工重点项目 25 个，总投资 451.6 亿元，

当年计划投资 16.29 亿元。

其中，包括由格力集团投资打造的全市产业立柱项目——华芯（珠海）

半导体砷化镓总部研产基地，以及格创·芯谷 5.0 产业新空间二期项目。

据了解，今年 3 月，格力金投与中芯聚源联合领投华芯半导体，助力

华芯珠海核心团队完成数亿元融资，“以投促引”推动华芯 (珠海) 半导

体砷化缘总部研产基地项目落户珠海，并在珠海投资建设总投资约 34 亿元.

产能达 1.5 万片/月的 6 寸砷化晶圆代工厂。

·沈阳贺利氏信越石英半导体生产基地项目主厂房已封顶

8 月 17 日，沈阳贺利氏信越石英半导体生产基地项目主厂房已成功封

顶，进入机电安装施工阶段。据了解，该生产基地主要生产高精密度半导

体石英系列产品，计划于 2024 年投产运行。该项目主要生产高精密度半导

体石英系列产品，包括硅片承载器、石英管、石英舟、集成电路产业装备

配件等，全部达产后预计可实现年产值 5.6 亿元。

·领存技术集成电路封装生产测试项目签约

8 月 15 日，许昌市魏都区人民政府与深圳市领存技术有限公司签约集

成电路封装生产测试项目。此次签约的集成电路封装生产测试基地项目总

投资约 10 亿元，项目达产后预计可达每年 540 万颗，实现年产值超 20 亿

元。

·电子新材料产业园项目封顶

近日，陕西宝鸡市姜谭经开区电子新材料产业园项目研发大楼主体结

构封顶，新建 20 余条第三代半导体材料应用、封装测试等生产线。主要生

产半导体氮化镓、碳化硅、砷化镓等晶圆、芯片以及相关半导体智能科技

应用产品，在 5G 通信、航空航天、物联网等诸多重要领域有广泛的应用前

景。

项目建成后，预计实现年产值达 30 亿元，未来 5 年总体拉动产值规模将突

破 100 亿元。同时将进一步完善全区电子信息上下游产业链条，带动传感

器、微电子等相关产业发展。

·长电、艾为等项目集中开工

8 月 15 日，上海临港新片区举行四周年重点产业项目集中开工仪式。

本次集中开工的重点项目共 12 个，总投资 288 亿元，包括长电汽车芯片成

品制造封测一期项目、艾为电子车规级可靠性测试中心建设项目等。

·立琻半导体首条半导体紫外光源芯片产线量产

近日，苏州立琻半导体有限公司（以下简称“立琻半导体”）基于第

三代半导体的首条紫外光源芯片产线正式量产。

目前量产的半导体紫外光源芯片，其外延材料质量、芯片性能均达到

国内一流水平，功率大、效率高、可靠性好，可广泛应用于工业固化、医

疗机械、空气水消杀等。量产后，该产线年产芯片可达 1.2 万片，年产值

超亿元。

三、时政分析及影响

1.南京浦口拟推“芯”政

(来源：全球半导体观察 2023-08-15 )

近期，南京浦口拟发布促进集成电路产业高质量发展若干措施；8 月 14 日，

南京市浦口区人民政府发布关于《浦口区促进集成电路产业高质量发展若干措施》

（以下简称《若干措施》）公开征求意见的公告。以下是《若干措施》具体内容：

（内容摘要）

(图片来源：南京市浦口区人民政府公告截图)

鼓励企业做大做强，按年度营业收入不同给予企业资金奖励。

鼓励加大核心设备投入，对集成电路企业购买核心设备给予资金补贴。集成

电路企业购买核心设备（单一设备原值 20 万元及以上）1000 万元及以上的，按

其年度实际支付费用给予 10%的补贴，每家企业补贴总额最高 2000 万元。

支持企业科技创新，对集成电路设计类企业、制造类企业、公共服务类企业

购买 EDA license 授权、升级或工具套件，进行高端芯片、先进或特色工艺研发

生产，按照实际支付费用给予补贴。加强对集成电路设计企业流片支持，对于进

行多项目晶圆（MPW）流片、首轮全掩膜（Full Mask）工程产品流片的企业给予

补贴。

鼓励创新成果产业化，鼓励集成电路企业申报创新产品、专精特新产品、首

台（套）重大装备等资质，并推动研发和产业化，按照年度内销售产品及金额给

予补贴等。

鼓励产业资源联动，鼓励集成电路平台类企业提供 EDA 租用、IP 复用、仿

真加速器等服务，鼓励产业链厂商、系统方案集成商采购集成电路产品、设备、

材料、耗材等，鼓励设计公司开展晶圆功能性、可靠性、兼容性测试（含中测、

成测）、失效分析、封装等业务，按照不同类型给予资金补贴。

加大重大项目招引，对新落户“芯片设计类、晶圆制造类、封装测试及系统

集成类”项目的研发和固定资产投入给予不同程度补贴。

四、观察与思考

日本的晶圆代工，为何没发展起来?

（内容来源： 全球半导体行业观察、半导体产业研究院等）

日本现在正在大力发展晶圆厂，这也从侧面体现了他们在这个领域的失败。

日本半导体产业兴起于 20 世纪 50 年代，20 世纪 90 年代发展成为除美国之

外的半导体出口大国。目前，日本半导体产业拥有 30 多家大型企业，其中包括

东京电子、爱德万测试等世界领先的半导体设备制造商，以及瑞萨、日立、电装、

富士通、三菱电子等拥有众多晶圆厂的 IDM 企业。

自 2000 年以来，日本在国际 IC 出口中的份额从 14% 下降到 2014 年的

不到 5%，而中国、台湾和韩国则不断上升（图 1，来源 SIA 2018）。尽管如此，

一些日本 IDM 仍然在电力电子、光学 CMOS 传感器、MEMS 和 3D NAND 等专用行业

领域保持世界领先地位。

在 2015 到 2020 年间，日本 300 毫米晶圆厂最大的投资主要集中在东芝

（NAND 闪存）、索尼（图像传感器）和日本美光内存（DRAM）。逻辑和功率 IDM 的

新投资主要集中在升级和扩大现有产能上，而不是建设新晶圆厂。

日本的硅代工厂主要是从富士通和松下等领先的 IDM 中剥离出来的，这些

IDM 的雄心是通过独立组织向国际客户群提供半导体制造服务。截至 2015 年，

日本仅占全球代工产能的 2%，大部分晶圆厂专注于 200mm 晶圆，而将先进节点

制造留给了中国台湾、中国大陆和美国的竞争对手（图 2，SIA 2018）。

随着新唐收购松下的代工业务，剩下的主要日本企业之一消失了。此前，松

下已经剥离了代工部门，并将其大部分股权投入与塔半导体的合资企业。剩下的

日本代工厂商代表了新日本无线电、日本半导体（前东芝）和 Phenetics 等小

型代工厂，主要在 6 英寸和 8 英寸晶圆领域服务利基技术。

此外，日立和富士通等一些大型 IDM 也提供代工服务。富士通曾是日本最

大的晶圆代工企业，每月产能超过 17 万片晶圆，但 2020 年又将桑名和福岛的

晶圆厂出售给联华电子和安森美半导体，几乎完全摆脱了代工业务。那就让富士

通到了 2020 年左右仅保留一座小型 6 英寸晶圆厂。显而易见，来自台湾和美国

的中型国际晶圆代工企业趁机收购了一些领先的晶圆厂（见图 3）。

作为大型国际代工公司的一部分，这为这些晶圆厂创造了必要的规模经济和

接触国际代工客户群的机会。另一方面，UMC 和 TowerJazz 能够进入日本客户

群，并通过收购获得图像传感器等有价值的 IP 领域。与日本 IDM 的领先地位

相反，日本仅在有限范围内提供功率分立代工服务。

为什么日本的代工业务没有取得成功？

为了回答这个问题，我们可以从以下四个角度来看。

1）制造业务市场进入时机

2)存在自有半导体工厂

3)缺乏成本控制和有限的无晶圆厂转型

4)聚焦狭窄细分市场

晶圆代工业务进入市场的时机：如上一段所述，日本是半导体领域的早期领导

者之一，专注于集成器件制造商，其垂直整合的业务模式将研发、制造、供应链

管理和销售整合为单一实体。另一方面，台湾半导体市场从 20 世纪 80 年代末开

始发展，由于要素成本差异，重点关注电子制造。日本 IDM 的深度关注使得打

造精益代工部门变得困难。

自营半导体工厂：日本工厂作为综合制造单位的关注，是价值数十亿美元的工

业集团的一部分，激励了卓越的产品性能和质量，但并不一定需要获得标准化、

实现规模经济、灵活性和销售方面的能力向国外客户提供制造能力。结果，日本

铸造厂在赢得国际客户和培养适应客户需求的世界一流服务提供商心态方面遇

到了困难。

缺乏成本控制和有限的无晶圆厂转型：日本半导体行业能够在 20 世纪 90

年代成为半导体领域的领先企业，很大程度上归功于两个因素。政府补贴支持

IDM 内的研发和设备支出，以及与美国和西欧相比的要素成本优势。另一方面，

与美国、中国大陆和中国台湾相反，日本只出现了数量非常有限的无晶圆厂半导

体公司。这抑制了对本土代工服务的依赖，以实现 ASIC。随着几次经济危机、

自然灾害（福岛）和国家对半导体补贴的减弱，效率低下变得显而易见，日本企

业集团还没有准备好进一步增加资本投资，以保持领先节点的竞争。

专注于狭窄的细分市场：日本半导体厂商在功率分立器件、模块、DRAM 和

闪存等狭窄且明确定义的细分市场中表现出色，这些细分市场非常适合垂直整合

公司的标准化、以流程为中心的方法。相反，美国、韩国和台湾的代工厂擅长将

自己定位为多功能服务提供商。加上前面提到的高利润业务向无晶圆厂行业的转

变，日本代工厂处于不利地位。

国产光刻机研发最新难点在哪？

（内容来源：半导体技术天地、半导体产业联盟等 ）

现代高科技生产，光刻机是个绕不过去的坎。不仅芯片生产需要光刻

机，内存条生产、固态硬盘生产，甚至液晶屏幕的生产等领域都需要高端

的光刻机。有朋友可能会说：非得用极紫外光刻机吗？就没有其他技术可

以替代吗？答案是：有其他技术可以实现，而且还不止一种。比如激光直

写技术、X 射线光刻、电子束光刻、原子力显微镜打印、纳米压印等技术都

可以用来制作高端芯片。但是目前没有任何一项技术从生产效率上、生产

成本上、产业链成熟度上可以跟现有的光刻机相媲美。

眼下来说，想快速发展芯片产业，还是要在光刻机上下功夫。但是经

过几十年的发展，我国在光刻机领域跟人家的差距似乎越来越大了，到底

光刻机研发的难点在哪里？

光刻机实际上并不是用激光来雕刻芯片，名字里有个“刻”字，但实

际工作流程并不涉及“刻”的过程。芯片生产用光刻机的工作更像复印机

或者照相机，把掩膜板上的图案照射到涂在晶圆上的光刻胶上，让胶片曝

光。曝光后的胶片分成了两部分，一部分可以溶解于特殊试剂，另一部分

不能。下面的工作交接给蚀刻机，蚀刻机才是要完成刻的工作，不溶解的

那部分光刻胶可以保护下面的晶圆不被蚀刻，用特殊试剂可以在晶圆上有

选择的蚀刻出电路图案来，光刻机只是完成曝光，不进行光刻。

很多人说极紫外光刻机是全世界最顶级的工业产品的集合，中国短期

内没有可能研发成功极紫外光刻机。说实话，我们想研发一款可以使用的

极紫外光刻机，难度是不小的，但也没有难到天上去，只要肯投入，付出

金钱和时间迟早是可以攻克的。

光刻机研发最大的难点是光学系统，说白了就是光源，透镜和反光镜，

我们身边随处都可以见到反光镜和透镜，但这些镜片用来做光刻机是不符

合要求的，必须用特制的镜片才行。于是很多人认为只有德国蔡司的镜头

才是合格的镜头，国产的镜头差点不是一点半点。其实并不是这样的，国

产的光学器件并不是那样的不堪，我们的航天事业蓬勃发展，大量卫星使

用的都是国产光学器件，已经发射的空间站还会搭配一个类似哈勃望远镜

的太空望远镜，使用的也是国产光学器件，这足以说明我国的国产光学器

件是没有问题的。

另外我国的长春光机所早就研制出了 90 纳米光刻机使用的投影光刻物

镜，充分说明我国光学器件的研发水平已经比较先进了。

光刻机的光学器件难点，并不在镜片生产上，而在于校准、调试和成

像质量补偿上。其实就算能买到德国蔡司的镜头，也不能保证就生产出合

格的光刻机来出。光刻机使用的镜头经常不是一次成型，而是要在调试的

过程中不断打磨优化，直到符合要求，而且一台仪器的一组镜片，并不是

只有一个透镜，而是十几个甚至二三十个透镜的组合。任何一个透镜有轻

微误差，都难以造出合格的光刻机。

极紫外光刻机更困难的一个原因是原有的成熟镜片完全不能使用。因

为所有的材料都会吸收极紫外光，极紫外光不能再靠透镜来聚光，只能用

反射镜。要造极紫外光刻机，所有的光路和材料都必须重新设计。普通的

镜子即使加工再精良，也不能用到极紫外光的反射上。因为普通镜子的材

料会严重吸收极紫外光，尤其是还有氧元素和碳元素的材料，特别爱吸收

极紫外光。

目前使用的反光镜必须在表面上镀上均匀的钼硅多层高反射率薄膜，

也叫钼硅多层膜。这个反射镜的制作和使用流程非常严格，首先镀膜得均

匀，不能含有杂质，而且必须在真空状态下使用。其次加工好以后，其表

面完整度必须非常高，得达到纳米级，严格保证聚光效果，稍有不慎就会

导致成像走形。同时极紫外光刻机的光路系统要求考虑的因素非常多，不

是买几个镜子安装上就好了。因为极紫外光刻机的光子能量非常高，几乎

所有的材料都会吸收极紫外光，而吸收了极紫外光必然会发热，发热就会

带来材料的变形。

对于需要纳米级成像的光刻机来说，简直就是灾难，基本就没法使用

了，如果不加控制，光路系统还有被烧毁的风险。所以极紫外光刻机里，

光源和每一面镜子的背后都有非常高效的冷却装置，把极紫外光照射产生

的热量及时带走。说句玩笑话，极紫外光刻机可不是用电风扇来散热的，

需要非常复杂的液冷系统。散热问题都解决了以后，才能进行设备调试，

调试完合格的镜头才算完成了第一步。

真正困难的是成像质量补偿。光刻机对光刻图形的要求是近乎完美的，

但设备的生产是不可能做到完美的，镜头使用的材料不可能做到完美，镜

头打磨不可能做到完美，镜头组装也不可能做到完美。同时镜头材料和支

撑材料都必然存在热胀冷缩的问题，这些问题都会给最终成像效果带来误

差，而且很多成效误差是不断变化的，必须通过一系列办法进行校准和修

正，甚至要求通过软硬件结合的自动化控制，来实现实时成像补偿，这才

是真正的难点。

这才是人家阿斯麦敢说：你拆开设备也仿造不出来的原因。要想实现

这些需要大量的实验数据，不断的经验积累，设计的软件得有非常精准的

校准算法，还需要大量精密控制装置的支持专利，不仅实现起来非常困难，

还要面临大量的专利陷阱。

国际上，在极紫外光刻机研发成功之前，还没有生产出可靠的极紫外

光源的时候，生产反光镜的企业就已经开始进行试验调试了。你能想到的

很多解决办法别人早就想到了，你想使用，对不起，侵犯了人家的专利权

还得想办法规避专利侵权或者获得专利授权，这就是后来者的难处。

光刻机常使用的光源如汞灯、KrF 准分子激光、ArF 准分子激光等，每

一种光源可以产生一定波长的紫外光，原理都是很清楚的，所差的就是质

量控制和专利的问题。不同公司所生产的光源质量是不一样的，极紫外光

刻机使用的光源研制难度还是很大的，听起来挺简单，就是利用锡来发光，

要么就是利用激光照射激发锡发光，要么就是利用电流来激发锡发光，但

是实际研发还是非常困难的，不仅得能得到极紫外光，还得达到足够的强

度，要能有效的照射出来，还得能有效地聚焦。最终要符合光刻机使用的

技术要求。

德国公司主要研发放电等离子体型光源，简称 DPP 光源，美国公司研

发激光等离子体型光源，简称 LPP 光源，目前美国公司的 LPP 光源胜出。

阿斯麦的光源使用美国公司的产品，目前尚未见到国内有相关光源生产的

报道，就算研发成功能否量产，还得看是否侵犯其他公司的专利权。

当然也有好消息，我国在极紫外光刻机领域已经深入研究了几十年了，

还是有很深的技术积累的。目前国际上正在使用的极紫外光源虽然可以正

常使用，但是有一个缺陷造成了它的改进空间比较大，这个缺陷就是激光

照射锡金属的时候，必然产生一些锡的碎屑，这些碎屑一旦沉积到光源内

部的收集镜上，就会影响光的收集效果，从而降低灯的使用寿命。各国都

在研发减少污染的方法，其中中国的几项专利特别有分量，比如上海光机

所提出了利用磁场降低污染的专利，就是一个非常巧妙的设计，其他单位

的几项专利也都很先进。

所以未来我国生产出纯国产的极紫外光刻机专用光源，一点都不奇怪，

除了光学系统以外，精密的控制系统也是光刻机能否正常使用的关键。不

管是前面提到的光学系统的精密调控，还是芯片生产中中控台和各个部件

的精准控制，都需要非常精密的控制系统，调控精度甚至要求达到纳米级，

这个方面是我国的一大短板，除了芯片以外，几乎所有的高端数控机床，

我国都是需要进口的，自给率还不到 10%，这方面的缺失，也意味着 EUV 光

刻机的生产也会面临一个重大的难题，好在这些年也有相关的研发布局。

专项的攻关应该会有一些突破。

最后光刻机的研发并不只是光刻机生产企业自己能够完成的，必须跟

使用光刻机的客户联合研发才行，否则你研发出来的光刻机很有可能无法

使用。阿斯麦的光刻机都是跟台积电等大客户联合研发的。台积电等芯片

生产企业在光刻机研发过程中起到了不可或缺的作用。阿斯麦研发出来的

光刻机也需要台积电等下游企业进行调试和验证，我国要想研发成功高端

光刻机，也必须联合芯片生产企业才能保证研发成功，即使研发成功了，

也需要不断磨合，不断提升技术才能最终投入使用。

补充一点，一台能用的光刻机除了机子本身以外，还要有配套的掩膜

版和光刻胶，不同的光刻机使用的掩膜版和光刻胶也是不一样的，光刻机

的研发与掩膜版和光刻胶的研发是相配套的，没有配套的掩膜版和光刻胶，

光刻机就算生产出来也不能用。